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MKY-VTS 壓敏電阻測試儀
MKY-VTS 壓敏電阻測試儀
技術(shù)參數(shù)
| 技術(shù)參數(shù) | 測試響了 | Max。寬容 | 測試條件 |
| 的行動 電壓(U1mA) | 0 ~ 100 v | + / -(2 v + 1 d) | 1000 + / - 5 Ua |
| 101 ~ 1700 v | + / -(2%讀數(shù)+ 1 d) | ||
| 泄漏電流(我0.75 u1ma) | 0.1 ~ 199.9 ua | + / - 2 ua + 1 d) | 0.75 u1ma |
| 技術(shù)參數(shù) | 測試響了 | Max。寬容 | 測試條件 |
| 直流電壓崩潰 V署 | 20 ~ 1700 v | + / -(2%讀數(shù)+ 1 d) | 電壓增加率(100 + / 8)V / S |
| 放電電壓記憶顯示時間 | 1.5 ~ 3.5年代 | ||
MKY-VTS 壓敏電阻測試儀
技術(shù)參數(shù)
| 技術(shù)參數(shù) | 測試響了 | Max。寬容 | 測試條件 |
| 的行動 電壓(U1mA) | 0 ~ 100 v | + / -(2 v + 1 d) | 1000 + / - 5 Ua |
| 101 ~ 1700 v | + / -(2%讀數(shù)+ 1 d) | ||
| 泄漏電流(我0.75 u1ma) | 0.1 ~ 199.9 ua | + / - 2 ua + 1 d) | 0.75 u1ma |
| 技術(shù)參數(shù) | 測試響了 | Max。寬容 | 測試條件 |
| 直流電壓崩潰 V署 | 20 ~ 1700 v | + / -(2%讀數(shù)+ 1 d) | 電壓增加率(100 + / 8)V / S |
| 放電電壓記憶顯示時間 | 1.5 ~ 3.5年代 | ||
